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自由キャリアもしくは電子が高密度に分布すると、何が起こるのだろうか？
もともと半金属の場合は電子が高密度にある状況なので、光生成キャリアをさらにそこに高密度に入れ込んだら何が起こるのだろうか？
多分フェルミレベル付近に電子が存在することの効果を取り込まないといけない。
それはSchleife論文にも書いてあったような気がします。
エキシトンスペクトルの計算なんですけど。フェルミレベルにおける電子濃度の効果を取り込んだと書いてあったような気がしますのでおそらく有効温度ですね。
本当の温度ではないんですけど、運動エネルギーの分布で決まる有効温度というのは、ホールの場合も電子の場合もあるんですけれども。
それが半金属の場合、終状態がフェルミレベルなので。たぶん変わってくるでしょう。
絶縁体の場合も、光生成によって電子側にもホール側にもフェルミレベルが生成されるので、結局同じことなのかもしれないけど、
同じ事って言っちゃうとろくなことにならないのでそこはなんとかしないといけない。
どうしたらいいんだろう？
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