2022-07-06

anond:20220706113123

ピラニア洗浄における濃硫酸過酸化水素水の比率とか、現像溶液やウェットエッチング溶剤比率とか、成膜するためのメッキ、スパッタ、CVDの条件、ドライエッチングのガス混入割合とかプラズマのたて方とか異方性出すためのバイアス電圧値とか特許として公開すらしたくない秘蔵レシピ盛りだくさんやから

それがシリコンポリシリコンアルミ、銅、などのよくある素材以外にもピエゾとか変な素材それぞれにある感じだと思う

それにデカラインだとライン内でムラもできるだろうし、そういう癖のコントロールとかもしてそう

そうやって歩留まり改善して効率よく半導体プロダクトを作ってるからそんなポンづけで作れるようにはならないと思う

記事への反応 -
  • ニュースだけ見ていると、EUVの露光装置などを買ってくれば製造出来る、というように思えてしまう。 もちろん特許で他社が真似できないように抱え込んでいるのだろうなって想像はで...

    • ピラニア洗浄における濃硫酸と過酸化水素水の比率とか、現像溶液の溶剤の比率とか、成膜するためのメッキ、スパッタ、CVDの条件、ドライエッチングのガス混入割合とかプラズマのた...

    • 半導体原料のシリコンインゴット製造元がシンジケート組んでてTSMCクラスは優先顧客になっている。 半導体製造は最新の高価値製品をどれくらいの量出せるかが利益にものすごく効い...

    • 今って高精細化しすぎて液体中のわずかな濃度ムラや地球の重力偏差まで半導体製造に影響するようになってんだわ ぽっと出じゃ無理無理

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